طراحی، شبیه سازی و ساخت سوئیچ خازنی rf memsبر روی بستر آلومینا

در این مقاله طراحی، شبیه­سازی و ساخت یک سوئیچ خازنی rf mems موازی کم تلف بروی موجبر هم­صفحه و بستر عایق آلومینا، در باند فرکانس ghz 60-40 ارائه شده است. مکانیزم تحریک این سوئیچ بصورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر هم­صفحه برای داشتن امپدانس مشخصه ω50 بروی بستر عایق آلومینا طراحی شده، سپس سوئیچ مورد نظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن، پارامترهای مهم آن توسط شبیه­سازی المان محدود و موجی کامل با نرم افزارهای coventorware و hfss بدست آمده است. در این مقاله نشان داده شده که سوئیچ طراحی شده دارای عملکرد مناسبی در این باند فرکانسی است، بطوریکه ولتاژ پایین کشنده v25/19، تلفات داخلی db8/0، تلفات بازگشتی بیشتر از db8/9 و مقدار ایزولاسیون نیز db50 حاصل شده است. با توجه به ابعاد طراحی شده، نمونه آزمایشگاهی سوئیچ بروی بستر آلومینا ساخته شده که بر اساس اندازه­گیری­های صورت گرفته، مقدار تلفات داخلی db5/2 و تلفات بازگشتی بیشتر از db10 حاصل شده است.